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J-GLOBAL ID：200902145463042330   整理番号：97A0015558

サブクォータミクロンCMOS・LDD・FETに対する窒素注入による表面近接ゲッタリングと窒化酸化膜側壁スペーサの影響

Impact of Surface Proximity Gettering and Nitrided Oxide Side-Wall Spacer by Nitrogen Implantation on Sub-Quarter Micron CMOS LDD FETs.

著者 (7件)： SHIMIZU S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KAWASAKI Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUSUNOKI S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OKUMURA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1995  ページ： 859-862  発行年： 1995年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい窒素注入技術を用いる極めて浅い接合と高信頼性の先進サブ...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (9件)： CMOS ,  FET ,  窒素 ,  注入 ,  ゲッタリング ,  窒化 ,  酸化膜 ,  側壁 ,  スペーサ