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J-GLOBAL ID：200902146644969092   整理番号：99A0798329

半導体製造プロセス用ケミカルスの新展開 Part 1 次世代DRAM用ペロブスカイト誘電体キャパシター

Perovskite-type High-κ Dielectric for DRAM Storage Capacitors with Feature Size of 0.15μm and Beyond.

著者 (6件)： 伊藤博巳 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  柏原慶一朗 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  常峰美和 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  奥平智仁 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  油谷明栄 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  犬石昌秀 (三菱電機 ULSI技開セ)
資料名： 月刊ファインケミカル  (ファインケミカル)
巻： 28  号： 14  ページ： 24-36  発行年： 1999年08月15日 
JST資料番号： Y0020A  ISSN： 0913-6150  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代の0.15μmルール以降のDRAMキャパシター用には高...

シソーラス用語： *LSI【IC】 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体製造プロセス ,  展開 ,  次世代 ,  DRAM ,  ペロブスカイト ,  誘電体 ,  キャパシター