文献

J-GLOBAL ID：200902156278100288   整理番号：99A0498261

導電性ダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャル成長とその(光)電気化学特性

Photoelectrochemical Properties of Epitaxially Grown Boron Doped Diamond Thin Films.

著者 (3件)： 藤嶋昭 (東大 大学院) ,  柳沢政夫 (東大 大学院) ,  八木一三 (東大 大学院)
資料名： 固体・表面光化学討論会講演要旨集  (固体・表面光化学討論会)
巻： 17th  ページ： 68-69  発行年： 1998年11月 
JST資料番号： X0082A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマCVD法により,導電性ダイヤモンド薄膜のホ...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0498261&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=X0082A") }}

タイトルに関連する用語 (5件)： 導電性 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  電気化学特性