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J-GLOBAL ID：200902158066358695   整理番号：00A0479714

0.15μm以下のゲート長を持つ高性能でSCE免疫性のpMOSFETに対する<100>チャネル方向の効果

Effect of 《100〉 Channel Direction for High Performance SCE Immune pMOSFET with Less Than 0.15μm Gate Length.

著者 (9件)： SAYAMA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NISHIDA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ODA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OISHI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIMIZU S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUNIKIYO T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SONODA K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INOUE Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1999  ページ： 657-660  発行年： 1999年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： <100>結晶軸に沿ったチャネルを持つ,高性能CMOSFET...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： ゲート長 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート長 ,  高性能 ,  SCE ,  pMOSFET ,  チャネル