0.25μm以下のプレーナ化LOCOSに及ぼす高圧乾燥O<sub>2</sub>酸化の影響

YAMASHITA T; KUROI T; UCHIDA T; KOMORI S; KOBAYASHI K; INUISHI M; MIYOSHI H

文献

J-GLOBAL ID：200902159931164423 整理番号：97A0572108

0.25μm以下のプレーナ化LOCOSに及ぼす高圧乾燥O₂酸化の影響

The Impact of High Pressure Dry O₂ Oxidation on Sub-Quarter Micron Planarized LOCOS.

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Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 1996 ページ： 821-824 発行年： 1996年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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