Si技術のスケーリング危機を切り開くためボディ結合ハイブリッド・トレンチアイソレーション構造を持つ0.10μm SOI CMOSのインパクト

文献

J-GLOBAL ID：200902160254492379 整理番号：01A0601140

Impact of 0.10μm SOI CMOS with Body-Tied Hybrid Trench Isolation Structure to Break Through the Scaling Crisis of Silicon Technology.

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HIRANO Y

HIRANO Y について

(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)