J-GLOBALについて

ENGLISH

文字サイズ
  • 小
  • 大

文献の詳細情報

文献J-GLOBAL ID:200902165014089366整理番号:95A0263420

Growth processes of ZnTe epilayers deposited by mbe on GaAs(100) vicinal surfaces-studies by static and dynamic RHEED.

GaAs(100)微斜面上にMBEで蒸着したZnTeエピ層の成長過程 静的及び動的RHEEDによる研究

著者:SADOWSKI J(Inst. Physics, Polish Academy of Sciences, Warszawa, POL)、DZIUBA Z(Inst. Physics, Polish Academy of Sciences, Warszawa, POL)、HERMAN M A(Inst. Vacuum Technology, Warszawa, POL)
資料名:Acta Phys Pol A 巻:87 号:1 ページ:225-228
発行年:1995年01月
  • J-GLOBALホームを見る
  • J-GLOBALをブックマークする

J-GLOBALでつながる、ひろがる、ひらめく

J-GLOBALについて

情報がつながる

J-GLOBALでは研究開発でキーとなる情報をつないでいます。例えば、文献と特許を人(著者・発明者)でつなぎ、そのつながりから次々と情報を取り出せます。
新たな気付きや、今まで見つからなかった情報の発見に役立ちます。

発想がひろがる

着目した情報が、連携する外部サイトリンクや内容が近い情報が見つかる関連検索でひろがります。
異分野の知識獲得や専門分野を超えた発想を支援します。

アイディアがひらめく

つながる・ひろがるの繰り返しから、思わぬ問題解決のヒントや新たなアイディアがひらめくキッカケを提供します。