SiC:Vにおける励起状態吸収を介した永続的ホールバーニング

文献

J-GLOBAL ID：200902165015269350 整理番号：98A0435959

Persistent spectral-hole burning in SiC:V via excited-state absorption.

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巻： 76/77 ページ： 95-99 発行年： 1998年02月
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ギャップの広い半導体である6H-SiCにおけるV<sup>4...

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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル , 非線形光学

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