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文献J-GLOBAL ID:200902165016023346整理番号:00A0918501

MBE growth of pseudomorphic InGaAs/GaPAsSb quantum wells on GaAs.

GaAsの準形態学的InGaAs/GaPAsSb量子井戸のMBE成長

著者:BRAUN W(Paul‐Drude‐Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)、DOWD P(Arizona State Univ., Arizona, USA)、SMITH D J(Arizona State Univ., Arizona, USA)・・・
資料名:Inst Phys Conf Ser 号:166 ページ:59-62
発行年:2000年
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