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J-GLOBAL ID：200902165020376024   整理番号：99A0691158

補償ドープしたゲルマニウムの不規則性が金属-絶縁体転移の臨界指数に及ぼす効果

Influence of disorder in compensation-doped germanium on the critical indices of the metal-insulator transition.

著者 (7件)： RENTZSCH R (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  REICH C (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  IONOV A N (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  GINODMAN V (Bar-Ilan Univ., Ramat-Gan, ISR) ,  SHLIMAK I (Bar-Ilan Univ., Ramat-Gan, ISR) ,  FOZOONI P (Royal Holloway Univ. London, Surrey, GBR) ,  LEA M J (Royal Holloway Univ. London, Surrey, GBR)
資料名： Physics of the Solid State  (Physics of the Solid State)
巻： 41  号： 5  ページ： 757-760  発行年： 1999年05月 
JST資料番号： W0823A  ISSN： 1063-7834  CODEN： PSOSED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶内のドナーとアクセプタの不規則分布に由来するメソスコピッ...

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 補償 ,  ドープ ,  ゲルマニウム ,  不規則性 ,  金属-絶縁体転移 ,  臨界指数