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文献J-GLOBAL ID:200902165030666020整理番号:01A0528064

Probing the microscopic compositions at Ga2O3(Gd2O3)/GaAs interface by core level photoelectron spectroscopy.

コアレベル光電子分光法によるGa2O3(Gd2O3)/GaAs界面での微視的組成のプロービング

著者:LAY T S(National Sun Yat‐Sen Univ., Kaohsiung, TWN)、HUANG K H(National Sun Yat‐Sen Univ., Kaohsiung, TWN)、HUNG W H(Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN)・・・
資料名:Solid-State Electron 巻:45 号:3 ページ:423-426
発行年:2001年03月
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