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J-GLOBAL ID：200902165037962091   整理番号：93A0933509

超高真空プロセス装置内でのHClガスを用いたInAsのエッチングとGaAs上のInAs層の選択除去

Etching of InAs in HCl Gas and Selective Removal of InAs Layer on GaAs in Ultrahigh-Vacuum Processing System.

著者 (6件)： KADOYA Y (JRDC, Tokyo) ,  YOSHIDA T (JRDC, Tokyo) ,  SOMEYA T (Univ. Tokyo, Tokyo) ,  AKIYAMA H (Univ. Tokyo, Tokyo) ,  NOGE H (JRDC, Tokyo) ,  SAKAKI H (Univ. Tokyo, Tokyo)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32  号： 10B  ページ： L1496-L1499  発行年： 1993年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HClガス中でのInAsのエッチ速度を初めて調べ,GaAsよ...

シソーラス用語： ドライエッチング ,...

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高真空 ,  プロセス装置 ,  HClガス ,  InAs ,  エッチング ,  GaAs