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J-GLOBAL ID：200902165038349156   整理番号：98A0991196

バルクの縦型Bridgman及び液体封入Czochralski成長GaAs中の個々の微小欠陥とそろった微小欠陥の同定

Identification of individual and aligned microdefects in bulk vertical Bridgman- and liquid encapsulated Czochralski-grown GaAs.

著者 (4件)： WEYHER J L (Res. Centre Juelich(IFF-KFA), Juelich, DEU) ,  SCHOBER T (Res. Centre Juelich(IFF-KFA), Juelich, DEU) ,  SONNENBERG K (Res. Centre Juelich(IFF-KFA), Juelich, DEU) ,  FRANZOSI P (MASPEC-CNR Inst., Parma, ITA)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B55  号： 1/2  ページ： 79-85  発行年： 1998年08月14日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のSiドープ,あるいはアンドープGaAs中の析出物を,赤...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： バルク ,  縦型 ,  封入 ,  成長 ,  GaAs ,  微小 ,  欠陥 ,  同定