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J-GLOBAL ID：200902165075269804   整理番号：02A0348292

高電力絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)における熱効果に対する三次元TLMシミュレーション法

A Three-Dimensional TLM Simulation Method for Thermal Effect in High Power Insulated Gate Bipolar Transistors.
著者 (3件)：
HOCINE R

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(Univ. Sci. and Technol. Oran Algeria)

Univ. Sci. and Technol. Oran Algeria について

, 
BOUDGHENE STAMBOULI M A

BOUDGHENE STAMBOULI M A について

(Univ. Sci. and Technol. Oran Algeria)

Univ. Sci. and Technol. Oran Algeria について

, 
SAIDANE A

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(ENSET)

ENSET について


資料名：
Proceedings. IEEE Annual Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium  (Proceedings. IEEE Annual Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium)

Proceedings. IEEE Annual Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium について


巻： 18th  ページ： 99-104  発行年： 2002年 
JST資料番号： T0978A  ISSN： 1065-2221  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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電子回路網の小型化は熱管理の基本的問題を生起する。パワーエレ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*IGBT

IGBT について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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TLM法

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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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,  熱工学一般 
(PA01000W)

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タイトルに関連する用語 (8件)：
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高電力

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絶縁

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ゲート

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バイポーラトランジスタ

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IGBT

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熱効果

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TLM

TLM について

, 
シミュレーション法

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