ジシランを用いる二酸化シリコン上のシリコン核生成と膜生成 高析出速度での極めて平滑なシリコンの急速熱化学蒸着

VIOLETTE K E; OEZTUERK M C; CHRISTENSEN K N; MAHER D M

文献

J-GLOBAL ID：200902165080815922 整理番号：96A0320248

ジシランを用いる二酸化シリコン上のシリコン核生成と膜生成高析出速度での極めて平滑なシリコンの急速熱化学蒸着

Silicon Nucleation and Film Evolution on Silicon Dioxide Using Disilane. Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition of Very Smooth Silicon at High Deposition Rates.

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巻： 143 号： 2 ページ： 649-657 発行年： 1996年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiO₂へのSiのRTCVDに対し,5...

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半導体薄膜 , 固体デバイス製造技術一般

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ジシランを用いる二酸化シリコン上のシリコン核生成と膜生成 高析出速度での極めて平滑なシリコンの急速熱化学蒸着

ジシランを用いる二酸化シリコン上のシリコン核生成と膜生成高析出速度での極めて平滑なシリコンの急速熱化学蒸着