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文献J-GLOBAL ID:200902165087063845整理番号:94A0353131

Steady-state distributions of the field and space charge in the interior of the i layer in a GaAs p-i-n structure.

GaAs p‐i‐n構造中のi層内部での電場と空間電荷の定常状態分布

著者:IL’NSKII A V(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)、KUTSENKO A B(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)、MEL’NIKOV M B(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
資料名:Semiconductors 巻:28 号:1 ページ:91-96
発行年:1994年01月
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