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文献J-GLOBAL ID:200902165093673760整理番号:01A1048358

Quasi-direct current plasma immersion ion implantation.

準直流プラズマ浸漬イオン注入

著者:ZENG X(City Univ. Hong Kong, HKG)、FU R K Y(City Univ. Hong Kong, HKG)、KWOK D T K(City Univ. Hong Kong, HKG)・・・
資料名:Appl Phys Lett 巻:79 号:19 ページ:3044-3046
発行年:2001年11月05日
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