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J-GLOBAL ID：200902165094086524   整理番号：01A0818300

半導体基板上に成長した窒化ガリウムの成長初期過程の観察

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著者 (1件)：
淀徳男

淀徳男 について

(大阪工大)

大阪工大 について


資料名：
東京工業大学応用セラミックス研究所共同利用研究報告書  (応用セラミックス研究所共同利用研究報告書)

東京工業大学応用セラミックス研究所共同利用研究報告書 について


巻： 2000  ページ： 135  発行年： 2001年06月30日 
JST資料番号： L3924A  ISSN： 1345-7772  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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分類 (2件)：
分類
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セラミック・陶磁器の製造 
(YC03020V)

セラミック・陶磁器の製造 について

,  半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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半導体基板

半導体基板 について

, 
成長

成長 について

, 
窒化ガリウム

窒化ガリウム について

, 
初期

初期 について

, 
過程

過程 について

, 
観察

観察 について


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