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文献J-GLOBAL ID:200902165095548238整理番号:94A0686294

Defect accumulation during ion irradiation of crystalline Si probed by in situ conductivity measurements.

電気伝導度のその場測定によって検知された結晶シリコンのイオン照射中の欠陥の集積

著者:BATTAGLIA A(Univ. Catania, Catania, ITA)、COFFA S(Univ. Catania, Catania, ITA)、PRIOLO F(Univ. Catania, Catania, ITA)・・・
資料名:Appl Phys Lett 巻:65 号:3 ページ:306-308
発行年:1994年07月18日
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