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J-GLOBAL ID：200902165096960914   整理番号：99A0396260

ヒドロジドアラン単一源前駆物質を用いたAlN膜の成長

Growth of AlN films using hydrazidoalane single-source precursors.

著者 (8件)： KIM Y (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  KIM J H (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  PARK J E (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  BAE B J (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  KIM B (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  PARK J T (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  YU K-S (Korea Res. Inst. Chemical Technol., Taejon, KOR) ,  KIM Y (Korea Res. Inst. Chemical Technol., Taejon, KOR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 339  号： 1/2  ページ： 200-202  発行年： 1999年02月08日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400~800°Cでの低圧CVD法によってSi(100)基板と...

シソーラス用語： *化学蒸着 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (3件)： メタン ,  エタン ,  1,1-ジメチルヒドラジン

タイトルに関連する用語 (3件)： 前駆物質 ,  AlN ,  成長