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J-GLOBAL ID：200902165102611064   整理番号：95A0178868

MOCVDで6H-SiC上に育成した(SiC)_x(AlN)_1-xの結晶構造

Crystal structure of (SiC)_x(AlN)_1-x grown on 6H-SiC by MOCVD.

著者 (4件)： WONGCHOTIGUL K (Howard Univ., Washington, D.C., USA) ,  SPENCER M G (Howard Univ., Washington, D.C., USA) ,  CHEN N (Howard Univ., Washington, D.C., USA) ,  PRASAD B D (Univ. Maryland, MA, USA)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 21  号： 5/6  ページ： 381-385  発行年： 1994年12月 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC_0.8AlN_0.2<...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (1件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  6H-SiC ,  SiC ,  AlN ,  結晶構造