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J-GLOBAL ID：200902165130761730   整理番号：94A0610212

AlInAs/GaInAs/InP系二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタの設計でのコレクタドーピングの重要性

Importance of collector doping in the design of AllnAs/GaInAs/InP double heterojunction bipolar transistors.

著者 (6件)： HAFIZI M (Hughes Research Lab., California) ,  LIU T (Hughes Research Lab., California) ,  STANCHINA W E (Hughes Research Lab., California) ,  RENSCH D B (Hughes Research Lab., California) ,  LUI M (Hughes Research Lab., California) ,  BROWN Y K (Hughes Research Lab., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 64  号： 24  ページ： 3261-3263  発行年： 1994年06月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピング濃度がそれぞれ1.4,2.4,3×10<sup>1...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...
準シソーラス用語： DHBT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlInAs ,  GaInAs ,  InP ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  設計 ,  コレクタ ,  ドーピング ,  重要性