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文献J-GLOBAL ID:200902165130761730整理番号:94A0610212

Importance of collector doping in the design of AllnAs/GaInAs/InP double heterojunction bipolar transistors.

AlInAs/GaInAs/InP系二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタの設計でのコレクタドーピングの重要性

著者:HAFIZI M(Hughes Research Lab., California)、LIU T(Hughes Research Lab., California)、STANCHINA W E(Hughes Research Lab., California)・・・
資料名:Appl Phys Lett 巻:64 号:24 ページ:3261-3263
発行年:1994年06月13日
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