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文献J-GLOBAL ID:200902165134755246整理番号:00A0672609

Suppression of boron penetration through thin gate oxides by nitrogen implantation into the gate electrode of PMOS devices.

PMOS素子のゲート電極への窒素注入による薄いゲート酸化膜を通るほう素の浸透の抑制

著者:HERDEN M(Friedrich‐Alexander‐Univ. Erlangen‐Nuernberg, Erlangen, DEU)、BAUER A J(Fraunhofer Inst. Integrated Circuits‐Device Technol. (IIS‐B), Erlangen, DEU)、RYSSEL H(Friedrich‐Alexander‐Univ. Erlangen‐Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名:Microelectron Reliab 巻:40 号:4/5 ページ:633-636
発行年:2000年04月
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