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文献J-GLOBAL ID:200902165159950639整理番号:96A0420201

ポリアトミッククラスターイオン注入によるSi基板の損傷評価

The Study of Damage Induced in Si by Polyatomic Cluster Ion Implantation.

著者:竹内大輔(京大 工 イオン工学実験施設)、島田規広(京大 工 イオン工学実験施設)、福島和彦(京大 工 イオン工学実験施設)・・・
資料名:応用物理学関係連合講演会講演予稿集 巻:43rd 号:2 ページ:578
発行年:1996年03月
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