文献
J-GLOBAL ID:200902165159950639
整理番号:96A0420201
ポリアトミッククラスターイオン注入によるSi基板の損傷評価
The Study of Damage Induced in Si by Polyatomic Cluster Ion Implantation.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=96A0420201©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0420201&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}