GaAs/Ge/GaAsヘテロエピタキシーを用いる反位相GaAs薄膜のMBE成長

文献

J-GLOBAL ID：200902165192823901 整理番号：99A0610117

MBE growth of antiphase GaAs films using GaAs/Ge/GaAs heteroepitaxy.

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資料名：
巻： 201/202 ページ： 187-193 発行年： 1999年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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