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J-GLOBAL ID：200902165197114976   整理番号：02A0038043

プラズマ支援分子線エピタクシーによるGaN(0001)膜成長に用いる界面活性剤としてのIn

In as a surfactant for the growth of GaN (0001) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy.

著者 (4件)： KRUSE C (Univ. Bremen, Bremen, DEU) ,  EINFELDT S (Univ. Bremen, Bremen, DEU) ,  BOETTCHER T (Univ. Bremen, Bremen, DEU) ,  HOMMEL D (Univ. Bremen, Bremen, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 21  ページ： 3425-3427  発行年： 2001年11月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題GaN(0001)表面形状におけるInの影響を研究した。...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  支援 ,  分子線エピタクシー ,  GaN ,  膜成長 ,  界面活性剤