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文献
J-GLOBAL ID:200902165212455769   整理番号:99A0969590

疑似モノリシックSi環境におけるGaAs FETの特性化

GaAs FET Characterization in a Quasi-Monolithic Si Environment.
著者 (8件):
資料名:
巻: 1999  号: Vol.4  ページ: 1889-1892  発行年: 1999年 
JST資料番号: A0636A  ISSN: 0149-645X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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GaAs FETチップを高抵抗のシリコン基板中に埋め込み,コ...
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分類 (3件):
分類
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トランジスタ  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  通信測定一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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