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J-GLOBAL ID：200902165215021794   整理番号：99A0580275

Bi₂SiO₅/Si型MIS構造の作製と電気特性

Fabrication and Electric Properties of a Bi₂SiO₅/Si MIS Structure.

著者 (7件)： 右田真司 (電総研) ,  小林寛 (日本大 理工) ,  XIONG S-B (電総研) ,  太田裕之 (電総研) ,  河西勇二 (電総研) ,  山本寛 (日本大 理工) ,  酒井滋樹 (電総研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 2  ページ： 468  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  MIS構造 ,  作製 ,  電気特性