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J-GLOBAL ID：200902165217315124   整理番号：98A0506709

浅溝素子分離とCVD-SiO₂ポリSi層間膜を用いた0.24μm²フラッシュメモリセル

A 0.24-.MU.m2 Cell Process with Shallow Groove Isolation and CVD-SiO2 Interpoly Dielectric Films.

著者 (9件)： 松崎望 (日立 中研) ,  小林孝 (日立 中研) ,  佐藤聡彦 (日立 中研) ,  片山敦子 (日立 中研) ,  倉田英明 (日立 中研) ,  三浦明美 (日立 中研) ,  峰利之 (日立 中研) ,  森本忠雄 (日立) ,  木村勝高 (日立 中研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th  号： 2  ページ： 889  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 浅溝 ,  素子分離 ,  CVD ,  SiO2 ,  ポリSi ,  フラッシュ ,  メモリセル