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文献
J-GLOBAL ID:200902168868224274   整理番号:00A0544431

高信頼性デバイス設計用の核マイクロプローブを用いた部分空乏化SOI N-チャネルMOSFETにおける過渡ドレイン電流の直接測定

Direct Measurement of Transient Drain Currents in Partially-Depleted SOI N-Channel MOSFETs Using a Nuclear Microprobe for Highly Reliable Device Designs.
著者 (9件):
資料名:
巻: 39  号: 4B  ページ: 2236-2240  発行年: 2000年04月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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標記MOSFETにおける陽子マイクロプローブ照射によって起こ...
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
引用文献 (11件):
  • 1) Y. Tosaka, K. Suzuki and T. Sugii: VSLI Symp. (1995) p. 39.
  • 2) M. Yoshimi, M. Terauchi, A. Murakoshi, M. Takahashi, K. Matsuzawa, N. Shigyou and Y. Ushiku: Int. Electron Devices Meet. Dig. (1994) p. 429.
  • 3) H. Iwata and T. Ohzone: IEEE Trans. Electron Devices 39 (1992) 1184.
  • 4) Y. Yamaguchi, T. Oashi, T. Eimori, T. Iwamatsu. S. Miyamoto, K. Suma, T. Tsuruda, F. Morishita, M. Hirose, H. Hidaka, K. Arimoto, K. Fujishima, Y. Inoue, T. Nishimura and H. Miyoshi: IEICE Trans. Electron E79-C (1996) 772.
  • 5) M. Takai, K. Nakayama, H. Takaoka, T. Iwamatsu, Y. Yamaguchi, S. Maegawa, T. Nishimura, A. Kinomura and Y. Horino: ECS 99 Proc. (1999) p. 305.
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