文献

J-GLOBAL ID：200902170036313689   整理番号：00A0095472

2000最新半導体プロセス技術 Technology & Equipment 第1編 第2章 0.13μm時代の新材料/新プロセス技術 高誘電体導入を狙うキャパシタ形成プロセス

The latest semiconductor processes technology in 2000. Technology & Equipment. The first edition. Chapter 2. New materials and new process technologies in the 0.13 μm age. Capacitor formation process to which introduction of high dielectric is aimed at.

著者 (9件)： 柏原慶一朗 (菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング) ,  常峰美和 (菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング) ,  油谷明栄 (菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング) ,  奥平智仁 (菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング) ,  藤田靖 (三菱電機 先端技総研) ,  堀川剛 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  芝野照夫 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  大森達夫 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  犬石昌秀 (菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング)
資料名： 月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)
巻： 18  号： 13  ページ： 58-64  発行年： 1999年11月26日 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： BST集積化のキーポイントとなるプロセス要素技術について述べ...

シソーラス用語： *半導体プロセス ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0095472&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0509A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体プロセス ,  新材料 ,  プロセス ,  誘電体 ,  キャパシタ ,  形成プロセス