文献

J-GLOBAL ID：200902175635845720   整理番号：00A0194651

BSTキャパシタにおける成膜時及びポスト処理時酸化性の影響

Effects of the Oxidation procedure on the dielectric dissipation of the BST Capacitor.

著者 (6件)： 奥平智仁 (三菱電機) ,  油谷明栄 (三菱電機) ,  柏原慶一朗 (三菱電機) ,  常峰美和 (三菱電機) ,  伊藤博巳 (三菱電機) ,  犬石昌秀 (三菱電機)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 57th  ページ： 97-102  発行年： 1999年12月09日 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高集積化が進むDRAMのキャパシタ誘電体として使われるBST...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  絶縁材料  (NA04030W)

引用文献 (9件)：

• TSUNEMINE, Y. IEEE IEDM Technical Digest, 1998. 1998, 811
• ONO, K. IEEE IEDM Technical Digest, 1998. 1998, 803
• BILODEAU, S. Extended Abstructs of the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials. 1996, 797
• LEE, B. T. IEEE IEDM Technical Digest, 1998. 1998, 815
• 奥平. 第56回 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集, 1999. 1999, 47

タイトルに関連する用語 (4件)： BST ,  キャパシタ ,  成膜 ,  酸化