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文献
J-GLOBAL ID:200902182802895928   整理番号:97A0320283

金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに及ぼすp+ポリシリコンゲートへの窒素注入の効果

The Effects on Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Properties of Nitrogen Implantation into p+ Polysilicon Gate.
著者 (9件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 617-622  発行年: 1997年02月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ 
引用文献 (25件):
  • 1) S. J. Hillenius, R. Liu, G. E. Georgiou, R. L. Field, D. S. Williams, A. Kornblit, D. M. Boulin, R. L. Johnston and W. T. Lynch: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., San Francisuco, 1986 (IEEE, New York, 1986) p. 252.
  • 2) B. Davari, W. H. Chang, M. R. Wordeman, C. S. Oh, Y. Taur, K. E. Petrillo, D. Moy, J. J. Bucchignano, H. Y. Ng, M. G. Rosefield, F. J. Hohn and M. D. Rodriguez: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., San Francisuco, 1988 (IEEE, New York, 1988) p. 56.
  • 3) M. Inuishi, K. Mitsui, S. Kusunoki, M. Shimizu and K. Tsukamoto: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., Washington D.C., 1989 (IEEE, New York, 1989) p. 773.
  • 4) J. Y. Sun, C. Wong, Y. Taur and C. H. Hsu: Dig. Symp. VLSI Technology, Kyoto, 1989 (Business Centor for Academic Societies Japan, Tokyo, 1989) p. 17.
  • 5) F. K. Baker, J. R. Pfiester, T. C. Mele, H. H. Tseng, P. J. Tobin, J. D. Hayden, C. D. Gunderson and L. C. Parrilo: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., Washington D.C., 1989 (IEEE, New York, 1989) p. 443.
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