P<sup>+</sup>ポリシリコンゲートへの窒素イオン注入のゲート酸化膜特性に対する影響

KUROI T; KUSUNOKI S; SHIRAHATA M; OKUMURA Y; KOBAYASHI M; INUISHI M; TSUBOUCHI N

文献

J-GLOBAL ID：200902182864223373 整理番号：95A0212552

P⁺ポリシリコンゲートへの窒素イオン注入のゲート酸化膜特性に対する影響

The effects of nitrogen implantation into P⁺ poly-silicon gate on gate oxide properties.

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巻： 1994 ページ： 107-108 発行年： 1994年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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