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J-GLOBAL ID：200902183042799725   整理番号：02A0848707

ダイヤモンドin-plane-gated FETのゲートリーク電流の低減

著者 (6件)： 小林健作 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  坂野時習 (早稲田大 理工) ,  澄川雄 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 63rd  号： 2  ページ： 500  発行年： 2002年09月24日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド ,  FET ,  ゲートリーク電流