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J-GLOBAL ID：200902193388943046   整理番号：96A0963724

Advanced Ion Implantation and Rapid Thermal Annealing Technologies for Highly Reliable 0.25μm Dual Gate CMOS.

著者 (7件)： SHIMIZU S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KAWASAKI Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUTSUMI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ODA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1996  ページ： 64-65  発行年： 1996年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： RaPID ,  CMOS