文献
J-GLOBAL ID：200902199516591199   整理番号：96A0963723

Channel Engineering in Sub-quarter-micron MOSFETs Using Nitrogen Implantation for Low Voltage Operation.

著者 (6件)：
FURUKAWA A

FURUKAWA A について

(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN について

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ABE Y

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(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

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SHIMIZU S

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(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

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KUROI T

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(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

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TOKUDA Y

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(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

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INUISHI M

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(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

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資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology について


巻： 1996  ページ： 62-63  発行年： 1996年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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