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J-GLOBAL ID：200902200402596687   整理番号：08A0943006

金属/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃界面型抵抗変化素子における空間電荷制限電流の重要性

著者 (12件)： 原田尚之 (東大 大学院) ,  大久保勇男 (東大 大学院) ,  坪内賢太 (東大 大学院) ,  組頭広志 (東大 大学院) ,  組頭広志 (JST-CREST) ,  大西剛 (東大 物性研) ,  LIPPMAA Mikk (東大 物性研) ,  松本祐司 (東京工大 応用セラミックス研) ,  鯉沼秀臣 (東大) ,  鯉沼秀臣 (JST-CREST) ,  尾嶋正治 (東大 大学院) ,  尾嶋正治 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 505  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： マンガン化合物 ,  プラセオジム化合物 ,  カルシウム化合物 ,  *空間電荷制限電流 ,  アルミニウム ,  ニッケル酸塩 ,  ランタン化合物 ,  アルミン酸塩 ,  レーザ蒸着 ,  真空蒸着 ,  電流電圧特性 ,  誘電体薄膜 ,  酸化物 ,  不揮発性メモリ ,  *MIM構造 ,  *金属-絶縁体転移 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： アルミン酸ランタン ,  ReRAM

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  抵抗変化 ,  空間電荷制限電流 ,  重要性