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J-GLOBAL ID：200902208628068536   整理番号：06A0746985

単結晶SrTiO₃電界効果トランジスタの作製-高品質酸化物ヘテロ界面構築に向けたデバイスプロセス-

著者 (8件)： 佐藤泰輔 (東大) ,  佐藤泰輔 (東大 物性研) ,  渋谷圭介 (東大 物性研) ,  大西剛 (東大 物性研) ,  西尾和記 (東大) ,  西尾和記 (東大 物性研) ,  LIPPMAA Mikk (東大) ,  LIPPMAA Mikk (東大 物性研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 2  ページ： 575  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単結晶 ,  電界効果トランジスタ ,  作製 ,  高品質 ,  酸化物 ,  ヘテロ界面 ,  構築 ,  デバイスプロセス