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文献J-GLOBAL ID:200902212373954895整理番号:06A0478415

Photoluminescence of Heterostructures with Highly Strained GaAs Quantum Wells in Al0.48In0.52As and Ga0.47In0.53As Layers

Al0.48In0.52As層とGa0.47In0.53As層中の高歪GaAs量子井戸を持つヘテロ構造の光ルミネセンス

著者:VINOKUROV D. A.(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)、ZORINA S. A.(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)、KAPITONOV V. A.(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)・・・
資料名:Tech Phys Lett 巻:32 号:4 ページ:299-301
発行年:2006年04月
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