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J-GLOBAL ID：200902212375640456   整理番号：08A0251953

室温でSiO₂にごく少量のGeを蒸着することによって自己集合したGeナノドットの不揮発性メモリ

Nonvolatile memories of Ge nanodots self-assembled by depositing ultrasmall amount Ge on SiO2 at room temperature

著者 (6件)： HONG Seung Hui (Dep. of Physics and Applied Physics, Coll. of Electronics and Information, Kyung Hee Univ., Yongin 449-701, KOR) ,  KIM Min Choul (Dep. of Physics and Applied Physics, Coll. of Electronics and Information, Kyung Hee Univ., Yongin 449-701, KOR) ,  JEONG Pil Seong (Dep. of Physics and Applied Physics, Coll. of Electronics and Information, Kyung Hee Univ., Yongin 449-701, KOR) ,  CHOI Suk-ho (Dep. of Physics and Applied Physics, Coll. of Electronics and Information, Kyung Hee Univ., Yongin 449-701, KOR) ,  KIM Yong-sung (Advanced Industrial Technol. Group, Korea Res. Inst. of Standards and Sci., P.O. Box 102, Yusong, Taejon 305-340, KOR) ,  KIM Kyung Joong (Advanced Industrial Technol. Group, Korea Res. Inst. of Standards and Sci., P.O. Box 102, Yusong, Taejon 305-340, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 9  ページ： 093124  発行年： 2008年03月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ(NVM)のためのGeナノドット(ND)を,ポストアニーリングなしでSiO₂にごく少量のGe<72ML)のイオンビームスパッタリング蒸着によって室温(RT)で自己集合させた。高分解能透過電子顕微鏡は,SiO₂/Si界面に関して明確なGe ND層の存在を実証した。Ge量が増加するに従って,NDのサイズは増加したが,その密度は減少した。単純モデル計算に基づくRTでのGe NDの形成を説明する可能なメカニズムを提案した。容量電圧ヒステリシスによって推定したメモリ窓は,Ge量が最大54MLまで増加するにつれて,最大18.7Vまで増加した。プログラム速度はGe量を増加させると高まり,プログラム状態の電荷損失速度はGe量が多いほど遅かった。これらのNVM特性は素子応用の観点から非常に有望である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 室温 ,  二酸化ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  自己集合 ,  ナノ構造 ,  *不揮発性メモリ ,  焼なまし ,  イオンビームスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  界面 ,  容量電圧特性 ,  ヒステリシス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  SiO2 ,  Ge ,  蒸着 ,  自己集合 ,  ナノドット ,  不揮発性メモリ