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J-GLOBAL ID：200902212375755288   整理番号：09A1105310

低炭素デバイスによる省エネルギー化技術最前線 ローム,SiCパワーデバイスの開発動向 低炭素社会を担うSiCパワーモジュール 低損失と低サージ電圧を両立

著者 (2件)： 伊野和英 (ローム) ,  中村孝 (ローム 新材料デバイス研究開発セ)
資料名： Semiconductor FPD World  (Semiconductor FPD World)
巻： 28  号： 12  ページ： 52-54  発行年： 2009年10月20日 
JST資料番号： Y0509B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ハイブリッドカーや分散電源などに使われる次世代パワー素子として,SiCパワーデバイスが注目されている。本稿では,ローム社の開発したSiCパワーモジュールを紹介した。同社は,SiC SBD(Schottky障壁ダイオード)とプレーナゲート型SiC MOSFETによるハイブリッド回路を構成したパワーモジュールを開発した。同パワーモジュールは,スイッチング損失とサージ電圧を共に低減し,サージ電圧156Vのときスイッチング損失をSi IGBTモジュールに比べ77%低減した。さらに,サージ電圧をSi IGBTモジュールに比べて半減させ,かつスイッチング損失を56%削減させた。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *パワーエレクトロニクス ,  Schottky障壁ダイオード ,  MOSFET ,  電力トランジスタ ,  *回路モジュール ,  *スイッチング損失 ,  ハイブリッド自動車 ,  分散型電源
準シソーラス用語： SiC ,  *サージ電圧 ,  パワーMOSFET ,  パワーデバイス ,  パワーモジュール

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子工学一般  (NC01000A)

タイトルに関連する用語 (10件)： 炭素 ,  省エネルギー化 ,  ローム ,  SiCパワーデバイス ,  開発動向 ,  低炭素社会 ,  SiC ,  パワーモジュール ,  低損失 ,  サージ電圧