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文献J-GLOBAL ID:200902212375755288整理番号:09A1105310

低炭素デバイスによる省エネルギー化技術最前線 ローム,SiCパワーデバイスの開発動向 低炭素社会を担うSiCパワーモジュール 低損失と低サージ電圧を両立

著者:伊野和英(ローム)、中村孝(ローム 新材料デバイス研究開発セ)
資料名:Semicond FPD World 巻:28 号:12 ページ:52-54
発行年:2009年10月20日
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