走査トンネル顕微鏡と昇温脱着によって研究したGe(100)-2×1:H(D)表面からのH<sub>2</sub>(D<sub>2</sub>)脱着の速度論

LEE J Y; MAENG J Y; KIM A; CHO Y E; KIM S

文献

J-GLOBAL ID：200902212376509744 整理番号：03A0102582

走査トンネル顕微鏡と昇温脱着によって研究したGe(100)-2×1:H(D)表面からのH₂(D₂)脱着の速度論

Kinetics of H₂ (D₂) desorption from a Ge(100)-2×1:H (D) surface studied using scanning tunneling microscopy and temperature programmed desorption.

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巻： 118 号： 4 ページ： 1929-1936 発行年： 2003年01月22日
JST資料番号： C0275A ISSN： 0021-9606 CODEN： JCPSA6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

飽和表面被覆率(θ_H(D)=1.0ML...

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物理的手法を用いた吸着の研究 , 非金属化合物

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走査トンネル顕微鏡と昇温脱着によって研究したGe(100)-2×1:H(D)表面からのH2(D2)脱着の速度論

走査トンネル顕微鏡と昇温脱着によって研究したGe(100)-2×1:H(D)表面からのH₂(D₂)脱着の速度論