文献

J-GLOBAL ID：200902212382799010   整理番号：07A1161938

非接触原子間力顕微鏡によるp-GaAs表面のチップ誘起陽極酸化

Tip-induced local anodic oxidation on p-GaAs surface with non-contact atomic force microscopy

著者 (3件)： TSAI Chien-huang (Dep. of Automation Engineering, Nan Kai Inst. of Technol., Nantou 54243, Taiwan) ,  JIAN Sheng-rui (Dep. of Materials Sci. and Engineering, I-Shou Univ., Kaohsiung 840, Taiwan) ,  WEN Hua-chiang (Dep. of Mechanical Engineering, National Chung Cheng Univ., Chia-Yi 621, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 254  号： 5  ページ： 1357-1362  発行年： 2007年12月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非接触モードで動作する負バイアス原子間力顕微鏡チップ誘起の局所電気化学酸化によって,p-GaAs(100)表面上にナノサイズ酸化構造を作製した。酸化パターンの幾何学的特徴とその様々な作製パラメータ,すなわち陽極酸化時間,バイアス電圧,チップ走査速度への依存性及び形成機構と関連する成長動力学を検討した。この結果,酸化初期段階では突出した酸化物ドットの高さが時間の関数として指数関数的に成長し,すぐに陽極酸化電圧に直線的に依存する最大高さに達する。これは空間電荷制限局所酸化機構から予測される挙動に一致する。さらに,酸化領域の選択的マイクロAuger解析の結果,Ga(As)O_xの形成が確認され,GaAs(100)表面におけるナノメータスケール酸化物ドット及びバンプの形成で,電場誘起ナノメータサイズ水メニスカスの果たす役割の重要性が明らかになった。Copyright 2007 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  原子間力顕微鏡 ,  *アノード酸化 ,  電極チップ ,  Augerスペクトル ,  メニスカス ,  *酸化膜 ,  *パターン形成 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： ナノサイズ ,  *原子間力顕微鏡法 ,  水メニスカス ,  電気化学酸化 ,  非接触モード原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非接触原子間力顕微鏡 ,  GaAs ,  誘起 ,  陽極酸化