低温MOCVDにより種々の基板上に作製したZnOナノロッドにおけるルミネセンスの特性の比較

MOHANTA Sanjay Kumar; CHAN KIM Dong; HAI ZHANG Xin; BENG SOH Chew; MARIE YONG Anna; CHO Hyung Koun; TRIPATHY Sudhiranjan

文献

J-GLOBAL ID：200902212382911759 整理番号：09A0004051

低温MOCVDにより種々の基板上に作製したZnOナノロッドにおけるルミネセンスの特性の比較

Comparative luminescence properties of ZnO nanorods grown on various substrates by low-temperature metalorganic chemical vapour deposition

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資料名：
巻： 310 号： 24 ページ： 5312-5316 発行年： 2008年12月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

本研究は,低温MOCVDによりサファイア,シリコン,GaN/サファイア,およびガラスなどの種々の基板上に作製したZnOナノロッドについて行った光学的研究を互いに比較し報告する。これらのナノロッドのバンド端付近の励起子的振る舞いはZnOの結晶構造の質に依存する。低温時間分解PL法を用いて,これらのZnOナノロッドにおけるバンド端フォトルミネセンス(PL)の緩和時間を調べた。p-Si(100)テンプレート上のナノロッドは4.5Kにおいて365psと比較的長い緩和時間を示す。これは結晶の質の改善がなされていないことと界面ひずみの減少が原因である。ガラス基板上に成長させたナノロッドにおいて,結晶の質が低いことによるPL緩和時間の若干の減少が見られた。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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半導体のルミネセンス

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