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J-GLOBAL ID：200902212384655237   整理番号：04A0769395

MOOSE アナログ回路シミュレーションのためのSOI LDMOSFETの物理ベースコンパクトなDCモデル

MOOSE: A Physically Based Compact DC Model of SOI LDMOSFETs for Analogue Circuit Simulation

著者 (5件)： D’HALLEWEYN N V T (Univ. Southampton, GBR) ,  BENSON J (Univ. Southampton, GBR) ,  REDMAN-WHITE W (Univ. Southampton, GBR) ,  MISTRY K (Univ. Southampton, GBR) ,  SWANENBERG M (Philips Semiconductors, Nijmegen, NLD)
資料名： IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems  (IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems)
巻： 23  号： 10  ページ： 1399-1410  発行年： 2004年10月 
JST資料番号： B0142C  ISSN： 0278-0070  CODEN： ITCSDI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上シリコン(SOI)横二重拡散(LD)MOSFETに関...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： アナログ ,  回路シミュレーション ,  SOI ,  LDMOSFET ,  物理 ,  DC ,  モデル