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J-GLOBAL ID：200902212390359445   整理番号：09A1104526

X線とγ線検出器としてのバナジウムドープテルル化カドミウムマンガン(Cd_1-xMn_xTe)結晶

Vanadium-Doped Cadmium Manganese Telluride (Cd_1-xMn_xTe) Crystals as X- and Gamma-Ray Detectors

著者 (9件)： HOSSAIN A. (Brookhaven National Lab., NY, USA) ,  CUI Y. (Brookhaven National Lab., NY, USA) ,  BOLOTNIKOV A. E. (Brookhaven National Lab., NY, USA) ,  CAMARDA G. S. (Brookhaven National Lab., NY, USA) ,  YANG G. (Brookhaven National Lab., NY, USA) ,  KOCHANOWSKA D. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL) ,  WITKOWSKA-BARAN M. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL) ,  MYCIELSKI A. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL) ,  JAMES R. B. (Brookhaven National Lab., NY, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 38  号： 8  ページ： 1593-1599  発行年： 2009年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化カドミウムマンガン(Cd_1-xMn_xTe)(CMT)は,室温γ線検知用としてCdZnTe(CZT)より,バンドギャップの広範囲の調節可能性などいくつかの利点を持っているが,成長プロセス上多くの欠点のため,高電気比抵抗と高電子寿命を有する大型無欠陥単結晶の生産を妨げている。有望な新室温半導体放射線検知器として,バナジウムドープCMT材料を導入し,エッチピット方法を用いて,バナジウムドープ成長後とアニール処理後の数種類のCMT中の欠陥を観測し,検討した。ドーピングまたは成長後アニール処理により,入手可能な材料から高比抵抗を得ることが可能であるが,商用化のためには大量の検知器間で再現性があり,均一である必要がある。これらの実験で,アニール処理した全試料は成長ドープ後試料より高比抵抗を示さず,γ放射に応答しなかった。その結晶内に存在する欠陥濃度と補償ドーパントの適正比率により,その結晶粒の比抵抗と電荷収集効率を改善する必要がある。CZT材料と比較して,CMTは結晶の雰囲気条件の検討が遅れている。成長後結晶内の可能な欠陥を最小化するため,成長プロセスとともに材料純度を改善する必要がある。さらに,移動度×寿命(μτ)積値の犠牲なしに,高比抵抗品質結晶を保証するため,不純物,自然欠陥と補償ドーパントの濃度とともに,材料組成を最適化する必要がある。高品質結晶成長条件を最適化による改善が,CdZnTe結晶に代わる有望な材料としてCMT結晶を確立するのに不可欠であると考える。

シソーラス用語： *X線検出 ,  *放射線検出器 ,  バナジウム ,  ドーピング ,  *テルル化合物 ,  *カドミウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  光学顕微鏡法 ,  表面処理 ,  エッチピット ,  電気抵抗率 ,  キャリア寿命 ,  結晶粒 ,  *結晶成長 ,  γ線検出器
準シソーラス用語： 赤外顕微鏡法

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線 ,  γ線検出器 ,  バナジウム ,  ドープ ,  テルル化カドミウム ,  マンガン ,  結晶