J-GLOBAL ID:200902212399602687整理番号:07A0689698
Ultra High-speed Novel Bulk Thyristor-SRAM (BT-RAM) Cell with Selective Epitaxy Anode (SEA)
選択エピタクシーアノード(SEA)を有する超高速新規基板サイリスタ型SRAM(BT‐RAM)セル
著者:SUGIZAKI T.(Sony Corp., Kanagawa, JPN)、NAKAMURA M.(Sony Corp., Kanagawa, JPN)、YANAGITA M.(Sony Corp., Kanagawa, JPN)・・・
資料名:Tech Dig Int Electron Devices Meet 巻:2006 Vol.2 ページ:839-842
発行年:2006年
資料名:Tech Dig Int Electron Devices Meet 巻:2006 Vol.2 ページ:839-842
発行年:2006年