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J-GLOBAL ID：200902212399911272   整理番号：08A0420285

金属有機物化学蒸着によるウェハ接合したサファイア基板上の多結晶性AlN上におけるInGaN/GaN多重量子井戸とLED成長

InGaN/GaN multi-quantum well and LED growth on wafer-bonded sapphire-on-polycrystalline AlN substrates by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (12件)： PINNINGTON T. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  KOLESKE D.d. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  ZAHLER J.m. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  LADOUS C. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  PARK Y.-b. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  CRAWFORD M.h. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  BANAS M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  THALER G. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  RUSSELL M.j. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  OLSON S.m. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  ATWATER Harry A. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  ATWATER Harry A. (T.J. Watson Laboratories of Applied Physics, California Inst. of Technol., Pasadena, CA 91106, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 310  号： 10  ページ： 2514-2519  発行年： 2008年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクサファイア上のGaN成長に影響を与える熱膨張係数(CTE)ミスマッチ問題を取り除くように設計した新しい複合体基板上にInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)とLED構造を成長させた。複合体基板を作るために,薄いサファイア層を多結晶性窒化アルミニウム(P-AlN)支持基板にウェーハ接合させる。サファイア層は成長のためのエピタキシャル鋳型を提供する。しかし,複合体基板の熱-力学性質はP-AlNにより決定される。これらの基板を用いて,成長中の温度変化と関連した熱応力は,公表されたCTEデータに基づくと,バルクサファイア上に成長させた膜と比較して大きさが1桁減少する。GaN LED成長のための基板の適合性をテストするため,サファイア上のGaN成長のための標準プロセス条件を用いて金属有機物化学蒸着(MOCVD)によりテスト構造を成長させた。バルクサファイア基板をすべての成長行程で対照標準試料として含めた。in situ反射追跡を用いていろいろな基板上の成長ダイナミックスを比較した。XRD,フォトルミネセンスおよびTEMにより判定した膜の材料品質は複合体基板とサファイア対照標準試料に対して似ている。P-AlN複合体基板上に成長させたLED構造からエレクトロルミネセンスを得た。そのピーク波長とピーク幅は対照標準試料と似ている。XRDとラマン分光法結果は,複合体基板上に成長させたGaN膜の残留ひずみはバルクサファイア基板上の成長と比較して劇的に減少している。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *貼合せ ,  *ウエハ【IC】 ,  多結晶 ,  窒化アルミニウム ,  基板 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  *窒化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヘテロ接合 ,  *多重量子井戸 ,  *発光ダイオード

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (11件)： 有機物 ,  化学蒸着 ,  ウェハ ,  サファイア基板 ,  多結晶 ,  AlN ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  LED ,  成長