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J-GLOBAL ID：200902212400458986   整理番号：09A0904287

SiO₂でマスクしたGaAs基板上横方向に成長したGaSb層の空間分解X線回折研究

Spatially resolved x-ray diffraction study of GaSb layers grown laterally on SiO₂-masked GaAs substrates

著者 (3件)： WIERZBICKA A. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-228 Warsaw, POL) ,  DOMAGALA J. Z. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-228 Warsaw, POL) ,  ZYTKIEWICZ Z. R. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-228 Warsaw, POL)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 4  ページ： 043521  発行年： 2009年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂でマスクした(001)GaAs基板上にエピタクシー横方向被覆成長(ELO)で成長したGaSb薄膜層の歪を解析するのに空間分解X線回折(SRXRD)を使用した。選択エッチングでは検出できない翼領域における局所モザイク状態をこのヘテロエピタクシー構造が含む事を示した。標準のX線回折測定はELO薄膜層のグレイン構造の存在を示唆するだけだけれど,SRXRDは試料における微細歪分布評価を可能にした。特に,微細ブロックのサイズとその相対的方位ずれを測定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *アンチモン化ガリウム ,  エピタクシー ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *歪分布 ,  *X線回折 ,  マスク ,  二酸化ケイ素 ,  モザイク構造 ,  局所性 ,  *空間分解能
準シソーラス用語： ハードマスク ,  横方向被覆成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiO2 ,  マスク ,  GaAs基板 ,  横方向 ,  成長 ,  GaSb ,  分解 ,  X線回折 ,  研究